RS Components
Infineon IGBT / 35 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul N-Kanal
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Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Anzahl an Transistoren = 7
Konfiguration = 3-phasig
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Chassismontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Anzahl an Transistoren = 7
Konfiguration = 3-phasig
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Chassismontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23
Transistor-Konfiguration = 3-phasig