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Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 189 A, 7-Pin PG-TO263-7
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Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 189 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC
Dauer-Drainstrom max. = 189 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = PG-TO263-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = SiC