RS Components
onsemi IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 267 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
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Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 267 W
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Automobilstandard = AEC-Q101
Nennleistung = 51mJ
Gate-Kapazität = 1518pF
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 267 W
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Automobilstandard = AEC-Q101
Nennleistung = 51mJ
Gate-Kapazität = 1518pF
Betriebstemperatur max. = +175 °C